دانلود مقاله ترجمه شده سوئیچ شکاف نواری فوتونی بر اساس چاه GaInNAs – مجله IEEE

گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” سوئیچ شکاف نواری فوتونی بر اساس چاه GaInNAs ” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.

• فهرست مطالب:

چکیده
1. مقدمه
2. نظریه مختصر و اجمالی
3. ساختار فوتونی فعال شکاف باند
4. عملیات دستگاه فعال تحت کنترل جریان
5. تاثیر اشباع نوری
6. نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

6. نتیجه گیری
تاثیرگذاری جریان تزریق شده بر ویژگی های انتشار نوری ساختار MQW PBG نیتریدهای رقیق، مورد بررسی قرار گرفته است. به طور خاص، یک سوئیچ فعال انتخابی طول موج در طول موج 1.2855 = λ میکرومتر طراحی شده است. مقدار خوبی از تداخل ارتباطی 14.1 – = (POFF/PON)10Log = CT دسی بل با یک بهره در حالت روشن معادل با 7.6 = G دسی بل به دست آمده است. حضور یک لبه باند باریک معین کننده PBG در حالت روشن اجازه به دست آوردن سوئیچینگ انتخابی طول موج شدید را در 1.2855 = λ میکرومتر می دهد که برای آن یک تداخل ارتباطی یا همشنوایی 10 – ≤ CT دسی بل در پهنای باند 1.5 = -10dBλΔ نانومتر مفروض است.در مقایسه با سوئیچ فعال مبتنی بر InP گزارش شده در [31]، که برای یک بهره دستگاه G ≅ 4 دسی بل در طول موج 1.5494 = λ میکرومتر نشان داده شده، سوئیچ فعال QW نیترید رقیق پیشنهادی به بهره دستگاه بالاتر 7.6 = G دسی بل در 1.5494 = λ میکرومتر می رسد. علاوه بر این، حتی تداخل ارتباطی یا همشنوایی برای دستگاه مورد بررسی ما بهبود می یابد که از 11 – CT ≅ دسی بل برای سوئیچ InP به 14.1 – CT ≅ برای دستگاه GaInNAs کاهش می یابد.
تاثیرگذاری اثر اشباع بهره، با توجه به افزایش قدرت ورودی بالاتر از مقدار آستانه، باعث بدتر شدن عملکرد سوئیچینگ با کاهش بهره G، عمق مدولاسیون MD، و نسبت کنتـــــراست CR، و با افزایش CT می گردد. با این حال، اشباع بهره انتخاب طول موج را با کاهش مقدار پهنای باند به 0.8 = -10dBλΔ نانومتر بهبود می بخشد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

6. Conclusion

The influence of the injected current on the optical propagation characteristics of dilute nitrides’ MQW PBG structure has been investigated. In particular, a wavelength selective active switch at the wavelength ¼ 1:2855 m has been designed. A good value of the crosstalk CT ¼ 10LogðPOFF=PONÞ¼14:1 dB with a gain in the ON-state equal to G ¼ 7:6 dB is achieved. The presence of a narrow band edge delimiting the PBG in the ON-state allows to obtain a strongly wavelength selective switching at ¼ 1:2855 m for which a crosstalk CT 10 dB is assured in the bandwidth 10 dB ¼ 1:5 nm. Compared with InP-based active switch reported in [31], for which a device gain G ffi 4 dB was demonstrated at wavelength ¼ 1:5494 m, the proposed dilute nitride QW active switch achieves higher device gain G ¼ 7:6 dB at ¼ 1:2855 m. Moreover, even the crosstalk improves for our examined device decreasing from CT ffi 11 dB for the InP switch to CT ¼ 14:1 dB for the GaInNAs device. The influence of the gain saturation effect, due to the increase of the input power above the threshold value, causes the deterioration of the switching performance by reducing the gain G, the modulation depth MD, and the contrast ratio CR, and by increasing the CT. However, the saturation of the gain improves the wavelength selectivity with the reduction of the bandwidth value to 10 dB ¼ 0:8 nm. Acknowledgment

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله