دانلود مقاله ترجمه شده سوئیچ شکاف نواری فوتونی بر اساس چاه GaInNAs – مجله IEEE

گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” سوئیچ شکاف نواری فوتونی بر اساس چاه GaInNAs ” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

سوئیچ شکاف نواری فعال فوتونی مبتنی بر چاه چند کوانتومی GaInNAs

عنوان انگلیسی مقاله:

Active Photonic Band-Gap Switch Based on GaInNAs Multiquantum Well

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۱۲
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۱۲ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق و فوتونیک
گرایش های مرتبط با این مقاله فوتونیک گرایش الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مهندسی الکترونیک
مجله مجله فوتونیک – Photonics Journal
دانشگاه گروه مهندسی برق و الکترونیک، ایتالیا
کلمات کلیدی کریستال ها یا بلورهای فوتونی،‌ قطعات یا دستگاه های چاه کوانتومی، مواد نیمه هادی، سوئیچ های نوری
رفرنس دارد
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۷ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱٫ مقدمه
۲٫ نظریه مختصر و اجمالی
۳٫ ساختار فوتونی فعال شکاف باند
۴٫ عملیات دستگاه فعال تحت کنترل جریان
۵٫ تاثیر اشباع نوری
۶٫ نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

 

۶٫ نتیجه گیری
تاثیرگذاری جریان تزریق شده بر ویژگی های انتشار نوری ساختار MQW PBG نیتریدهای رقیق، مورد بررسی قرار گرفته است. به طور خاص، یک سوئیچ فعال انتخابی طول موج در طول موج ۱٫۲۸۵۵ = λ میکرومتر طراحی شده است. مقدار خوبی از تداخل ارتباطی ۱۴٫۱ – = (POFF/PON)10Log = CT دسی بل با یک بهره در حالت روشن معادل با ۷٫۶ = G دسی بل به دست آمده است. حضور یک لبه باند باریک معین کننده PBG در حالت روشن اجازه به دست آوردن سوئیچینگ انتخابی طول موج شدید را در ۱٫۲۸۵۵ = λ میکرومتر می دهد که برای آن یک تداخل ارتباطی یا همشنوایی ۱۰ – ≤ CT دسی بل در پهنای باند ۱٫۵ = -۱۰dBλΔ نانومتر مفروض است.در مقایسه با سوئیچ فعال مبتنی بر InP گزارش شده در [۳۱]، که برای یک بهره دستگاه G ≅ ۴ دسی بل در طول موج ۱٫۵۴۹۴ = λ میکرومتر نشان داده شده، سوئیچ فعال QW نیترید رقیق پیشنهادی به بهره دستگاه بالاتر ۷٫۶ = G دسی بل در ۱٫۵۴۹۴ = λ میکرومتر می رسد. علاوه بر این، حتی تداخل ارتباطی یا همشنوایی برای دستگاه مورد بررسی ما بهبود می یابد که از ۱۱ – CT ≅ دسی بل برای سوئیچ InP به ۱۴٫۱ – CT ≅ برای دستگاه GaInNAs کاهش می یابد.
تاثیرگذاری اثر اشباع بهره، با توجه به افزایش قدرت ورودی بالاتر از مقدار آستانه، باعث بدتر شدن عملکرد سوئیچینگ با کاهش بهره G، عمق مدولاسیون MD، و نسبت کنتـــــراست CR، و با افزایش CT می گردد. با این حال، اشباع بهره انتخاب طول موج را با کاهش مقدار پهنای باند به ۰٫۸ = -۱۰dBλΔ نانومتر بهبود می بخشد.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

۶٫ Conclusion

The influence of the injected current on the optical propagation characteristics of dilute nitrides’ MQW PBG structure has been investigated. In particular, a wavelength selective active switch at the wavelength ¼ ۱:۲۸۵۵ m has been designed. A good value of the crosstalk CT ¼ ۱۰LogðPOFF=PONÞ¼۱۴:۱ dB with a gain in the ON-state equal to G ¼ ۷:۶ dB is achieved. The presence of a narrow band edge delimiting the PBG in the ON-state allows to obtain a strongly wavelength selective switching at ¼ ۱:۲۸۵۵ m for which a crosstalk CT 10 dB is assured in the bandwidth 10 dB ¼ ۱:۵ nm. Compared with InP-based active switch reported in [31], for which a device gain G ffi 4 dB was demonstrated at wavelength ¼ ۱:۵۴۹۴ m, the proposed dilute nitride QW active switch achieves higher device gain G ¼ ۷:۶ dB at ¼ ۱:۲۸۵۵ m. Moreover, even the crosstalk improves for our examined device decreasing from CT ffi 11 dB for the InP switch to CT ¼ ۱۴:۱ dB for the GaInNAs device. The influence of the gain saturation effect, due to the increase of the input power above the threshold value, causes the deterioration of the switching performance by reducing the gain G, the modulation depth MD, and the contrast ratio CR, and by increasing the CT. However, the saturation of the gain improves the wavelength selectivity with the reduction of the bandwidth value to 10 dB ¼ ۰:۸ nm. Acknowledgment

 


 

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

سوئیچ شکاف نواری اکتیو فوتونی بر اساس چاه مولتی کوانتومی GaInNAs

عنوان انگلیسی مقاله:

Active Photonic Band-Gap Switch Based on GaInNAs Multiquantum Well

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی          خرید ترجمه فارسی مقاله