| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
تقویت کننده تفاضلی(دیفرانسیلی) تلفیقی تابش میدانی خلا نانو الماس |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Nanodiamond Vacuum Field Emission Integrated Differential Amplifierhttps://tarjomefa.com/wp-content/uploads/2016/02/4417-Engilish.pdf |
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
| سال انتشار | 2012 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 7 صفحه با فرمت pdf |
| رشته های مرتبط با این مقاله | برق، فیزیک و شیمی |
| گرایش های مرتبط با این مفاله | اتمی مولکولی، شیمی فیزیک، شیمی آلی و برق الکترونیک |
| مجله | انجام معاملات در دستگاه های الکترونی (TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES) |
| دانشگاه | دپارتمان مهندسی برق و علوم کامپیوتر، دانشگاه واندربیلت، نشویل، آمریکا |
| کلمات کلیدی | تقویت کننده تفاضلی، مدار های تلفیقی، نانوالماس، ترانزیستور، تابش میدانی خلا |
| شناسه شاپا یا ISSN | ISSN 0018-9383 |
| لینک مقاله در سایت مرجع | لینک این مقاله در سایت IEEE |
| نشریه | آی تریپل ای – IEEE |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
| تعداد صفحات ترجمه مقاله | 14 صفحه با فرمت ورد، به صورت تایپ شده و با فونت 14 – B Nazanin |
| توضیحات زیر تصاویر و جداول | ترجمه توضیحات زیر تصاویر به صورت کامل انجام شده است. همچنین تمامی اشکال در فایل ترجمه درج شده اند. |
| فرمول ها و محاسبات | تمامی فرمول ها و محاسبات به صورت عکس در فایل ترجمه درج شده اند. |
- فهرست مطالب:
چکیده
۱ مقدمه
۲ تولید تقویت کننده تفاضلی خلا ND
۳ تعیین خصوصیات و مدل سازی تقویت کننده های تفاضلی
۴ نتیجه گیری
- بخشی از ترجمه:
۴ نتیجه گیری
جزء اساسی یک مدار تقویت کننده تفاضلیND-VFET برای IC خلا ایجاد و اجرا شد. فرایند میکروفابریکیشن شامل استفاده از روش امیتر گیت انتقال قالب همراه با رسوب ND و تقسیم بندی گیت برای تولید جفت ND-VFET بر روی یک تراشه استفاده شد. جفت خصوصیات ترانزیستور تابش میدانی مطابقت خوبی را با ولتاژ روشن پایین و جریان برخوردی به گیت قابل چشم پوشی نشان داد. ND-VFETمدولاسیون یا تنظیم کنترل شده گیت تابش را با مناطق خطی و اشباع نشان داد. خصوصیات تقویت سیگنال امپلی فایر های تفاضلی ND-VFET ارایه شده است. نسبت ردٌ مد-مشترک[سي ام آر آر ] یا نسبت مقدار مؤثر ولتاژ تداخلي مد-مشترک (CMRR) به میزان 54.6 dB برای تقویت کننده تفاضلی اندازه گیری شد. تغییرات عملکرد CMRR با رسانایی متقابل بررسی شده و نتایج با تحلیل مدل مدار معادل هم خوانی داشت. رسیدن به این جزء اساسی مدار، که متشکل از یک تقویت کننده تفاضلی است نشان دهنده امکان استفاده از مدار های تلفیقی خلا برای کاربرد های عملی از جمله ابزار های الکترونیکی فضایی متحمل به دما و تابش بالا است.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
V. CONCLUSION
A basic circuit building block of ND-VFET diff-amp for vacuum IC has been developed and implemented. A dualmask microfabrication process involving the mold-transfer selfaligned gate–emitter technique coupled with ND deposition and gate partitioning has been employed for the fabrication of the ND-VFET pairs on a chip. The ND-VFET pair showed wellmatched field emission transistor characteristics with low gate turn-on voltage and negligible gate intercepted current. A large CMRR of ∼540 (54.6 dB), which is consistent with the estimated value in the analysis model, was realized at an operating gate voltage of 42 V with a transconductance of 4 μS. The enhancement of CMRR with increasing gate voltage as well as transconductance was observed, agreeing with the equivalent circuit analysis and suggesting that higher CMRR is achievable at higher operation voltage. The successful implementation of this basic circuit building block, consisting of an integrated VFET diff-amp, demonstrates the feasibility of using vacuumbased ICs for practical applications, including high-speed and temperature- and radiation-hardened electronics.
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
تقویت کننده تفاضلی(دیفرانسیلی) تلفیقی تابش میدانی خلا نانو الماس |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Nanodiamond Vacuum Field Emission Integrated Differential Amplifier |
|
|
