دانلود ترجمه مقاله تغییرات مشخصه کوتاه مدت تکنولوژی های سیستم فتوولتائیک متفاوت

• فهرست مطالب:

چکیده
1 مقدمه
2 مطالعات مشخصه میدانی
3 سیستم های PV و شرح سیستم نظارت
4 تحلیل مشخصه کوتاه مدت
4.1 تفاوت در بار انرژی میان سیستم های PV ثابت و ردگیری
4.2 تغییرات PR PV
4.3 تغییرات PR ساعتی و بازده مبدل
5 نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

5 نتیجه گیری
این مقاله، درصد تفاوت انرژی میان سیستم های PV با ساختار ثابت و ردگیری و PR روزانه برای سیستم های نصب شده در IIT کانپور، تحلیل کرد . ملاحظه شد که تفاوت درصد انرژی به طور قابل توجه ای کمتر از مقدار شبیه سازی کسب شده توسط سیستم های PV در دو تکنولوژی است. این امر ممکن است تا اندکی به تاثیرات دما، سایه زنی، تطبیق مبدل و تلرانس مدل مربوط باشد. با این حال نشان داده شد که تفاوت میان مقادیر اندازه گیری شده و شبیه سازی سیستم ها اغلب به خاطر تفاوت در مقادیر درخشندگی می باشد. تاثیر دما بر PR برای multi-Si در سطح درخشندگی بالا، مشاهده می شود، در حالی که تکنولوژی های لایه نازک کاهش کم را تحت این شرایط نشان نمی دهند. با این وجود سیستم multi-Si پایدارترین تکنولوژی از لحاظ مشخصه در طول دوره آزمایش می باشد که یک تطابق خوب میان نتایج محاسبه شده و مورد انتظار را تامین می کند. در مورد موضوع ارزیابی مبدل، نتایج نشان می دهد که اگرچه مبدل ها با استانداردهای هند برخورد می کنند اما هر دو نوع مبدل در محل آزمایش از لحاظ بازده تبدیل به عملکرد خود ادامه می دهند. در مبدل های با نوع ترانسفورماتور فرکانس پایین که به سیستم CIGS متصل است، مساله حدآستانه مبدل از تحلیل های کوتاه مدت آشکار شدند.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

5 Conclusions

The paper analyses the energy percentage difference between the tracking and fixed structure PV systems and the daily PR for the systems installed at the IIT-Kanpur. It has been observed that the energy percentage difference is significantly lower than the simulated value acquired by PVSyst for two of the technologies. This may be partially attributed to temperature effects, shading, inverter matching and module tolerances. However, it is shown that the difference between the simulated and measured values of the systems was mostly because of the difference in irradiation values. The effect of temperature on the PR is observed for multi-Si at high irradiation levels, whereas the thin film technologies do not show a decrease under these conditions. Nevertheless, the multi-Si system was the most stable technology in terms of performance during the examined period since it provides a good match between the expected and the calculated results. Regarding the inverter evaluation, the results showed that although the inverters met the Indian standards, both inverter types underperformed in terms of the conversion efficiency at the experimental location. For the low-frequency transformer type inverter, which is connected with the CIGS system, an issue with the inverter threshold was revealed from the short-term analysis.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله